【SAL-233】ニューハーフ×ニューハーフ 竿有り同性愛まるごとNHレズビアン 音问称三星电子2nm工艺EUV曝光层数加多30%以上，将来SF1.4节点有望超30层

IT之家 7 月 23 日音问，韩媒 The Elec 本月 17 日报谈称【SAL-233】ニューハーフ×ニューハーフ 竿有り同性愛まるごとNHレズビアン，三星电子瞻望于来岁推出的 2nm 先进制程将较现存 3nm 工艺加多 30% 以上的 EUV 曝光层数，达“20~30 的中后半段”。

韩媒在报谈中提到，说明居品质质的不同，即使归并节点曝光层数目也并非透彻固定。不外总体来说，三星电子 3nm 工艺的平均 EUV 曝光层数目仅为 20 层；

而在瞻望于 2027 年量产的 SF1.4 制程中，EUV 曝光层的数目有望特地 30 层。

【SAL-233】ニューハーフ×ニューハーフ 竿有り同性愛まるごとNHレズビアン

▲ ASML 新一代 0.33NA EUV 光刻机 NXE:3800E

跟着先进制程的演进，对晶体管尺寸的条目逐渐严苛。而在曝光层顶用 EUV 光刻取代传统 DUV，可完了更高光刻精度，进一步进步晶体管密度，在单元面积中容纳更多的集成电路。

在此配景下，先进逻辑代工企业积极购进 ASML 的 EUV 机台。

以台积电为例，说明IT之家此前报谈，其今明两年将统共承袭超 60 台 EUV 光刻机。韩媒预估台积电到 2025 年底将领有超 160 台 EUV 光刻机。

此外 DRAM 内存行业的 EUV 光刻用量也在进步：

在第六代 20~10nm 级工艺（即 1c nm、1γ nm）上【SAL-233】ニューハーフ×ニューハーフ 竿有り同性愛まるごとNHレズビアン，三星电子使用了 6~7 个 EUV 层，SK 海力士使用了 5 个 EUV 层，好意思光也在此节点初度导入了 EUV 光刻。